集成电路学院“大家讲坛”活动参加者 范博文

告别前两日的阴雨天气，今天迎来了明媚阳光，也迎来了山东大学集成电路学院、物理学院与新一代半导体材料研究院共同承办的“大家讲坛”活动。作为集成电路学院的研一学生，我很荣幸参加了此次活动。学院请到了香港科技大学教授、美国国家工程院院士、香港工程科学院院士刘纪美女士，她为我们作了以“具有高电流密度和高阈值电压的垂直型GaN基MOSFET”为题的讲座。

集成电路学院的同学们参与活动的积极性很高，学院为大家安排了两辆班车。讲座正式开始，集成电路学院的刘超教授主持讲座，介绍了刘纪美院士的研究方向和取得的成果。随后，刘纪美院士讲述了和山东大学老师同学们深厚的友谊。她早在十年前就访问过山东大学，收到了一份山东大学的赠礼SiN衬底。接着刘纪美院士向老师同学们介绍了课题组的研究内容，介绍了GaN基MOSFET和主流Si基衬底、SiN衬底的区别和优点，以及如何改进垂直型GaN衬底的厚度让其具有高电流密度和高阈值电压。最后刘纪美院士向大家介绍了课题组团队，之前课题组中也有过山东大学的学生，她再一次表示了和山东大学师生的缘份，也欢迎大家参会。在提问环节中，老师同学们对刘纪美院士的讲座内容提出了很多问题和讨论，刘纪美院士也针对老师同学们的提问一一给出了解答。

刘纪美院士的讲座让我受益匪浅，让我了解到了许多关于垂直型GaN基MOSFET的知识。十分感谢学院能够请到院士并为我们举办本次讲座，让我们有机会能和院士面对面交流，也激励了我努力学习科研，争取有朝一日能为祖国的集成电路产业作出贡献。